面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

黄森; 张寒; 郭富强; 王鑫华; 蒋其梦; 魏珂; 刘新宇

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AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀AlGaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基AlGaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。

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来源
《电子与封装》 |2023年第1期|11-21|共11页
作者
黄森; 张寒; 郭富强; 王鑫华; 蒋其梦; 魏珂; 刘新宇;
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作者单位

中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心;

中国科学院大学集成电路学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.4;
关键词
氮化镓; 功率电子器件; ALGAN/GAN异质结; 超薄势垒; 增强型; 功率集成;

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