多重场限环型终端结构的优化设计

卓宁泽; 赖信彰; 于世珩

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开展了硅基金属氧化物场效应晶体管用多重场限环型终端结构的优化设计工作。研究了体区注入剂量、场限环宽度、主结宽度对击穿电压的影响规律,并对其机理进行了分析。通过仿真获得了器件内部的电场、电势和碰撞电离率分布。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数,体区注入剂量为1.3×10^(13)cm^(-3),场限环宽度为1.5μm,主结宽度为11μm,对应终端击穿电压为106 V。实验开版流片获得的器件击穿电压为105.6 V,良率达到98.65%。

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来源
《电子与封装》 |2023年第2期|79-83|共5页
作者
卓宁泽; 赖信彰; 于世珩;
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作者单位

江苏长晶科技股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
场限环; 终端结构; 硅基金属氧化物场效应晶体管; 击穿电压;

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