深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计

朱琪; 黄登华; 陈彦杰; 刘芸含; 常红

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深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计

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绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离面积小、隔离性能良好等特点,在功率半导体领域已被广泛采用。基于深亚微米SOI工艺技术节点和100V以上高压器件的特性,高压静电放电(ESD)器件稳健性弱的问题已成为ESD防护设计的技术难点之一,高压ESD防护器件的选择和设计显得尤为重要。为了提升SOI工艺高压ESD器件的稳健性,结合静电放电时器件的特性和工作性能,对ESD防护器件进行了选择,设计了合适的器件尺寸,获得了良好的ESD能力。运用了该设计的一款驱动MOSFET的控制器电路,通过了4000V人体模型(HBM)的ESD测试,该设计在SOI工艺高压ESD器件防护稳健性的问题上取得了良好的效果。

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来源
《电子与封装》 |2023年第9期|45-49|共5页
作者
朱琪; 黄登华; 陈彦杰; 刘芸含; 常红;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
高压ESD器件; 绝缘体上硅工艺; 开放式基极堆叠三极管;

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