深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

薛海卫; 张猛华; 杨光安

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cqvip:为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10^9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

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来源
《电子技术应用》 |2019年第12期|59-6166|共4页
作者
薛海卫; 张猛华; 杨光安;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035;

东南大学江苏南京210001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;原子能技术的应用;
关键词
瞬时剂量率效应; 三维数值模拟; 深亚微米SOI; H型NMOS;

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