基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

冒国均; 边炜钦; 薛海卫; 杨光安

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基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

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为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐照之间的关系.通过模拟PN+型、P+N型两种二极管结构在不同偏置电压、不同剂量率辐射下的抗瞬时剂量率辐射能力,可以得出当瞬时剂量率为1×1014 rad(Si)/s时,二极管在辐照下产生的光电流增量为辐照前的20％左右.该结论为集成电路器件的抗瞬时剂量率设计与仿真提供了数值参考.

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来源
《电子与封装》 |2021年第3期|87-90|共4页
作者
冒国均; 边炜钦; 薛海卫; 杨光安;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072;

中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072;

东南大学南京210001;

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正文语种 chi
中图分类半导体二极管;原子能技术的应用;
关键词
瞬时剂量率效应; 数值模拟; 二极管; 光电流;

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