基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计

沈婧; 薛海卫

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基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计

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存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节.经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差.提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力.同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力.

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来源
《电子与封装》 |2016年第3期|26-30|共5页
作者
沈婧; 薛海卫;
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作者单位

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
SRAM加固; DICE; 分离位线; 单粒子翻转;

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