功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

张文涛; 皓月兰

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栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试央具和电路结构等因素影响较大.其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数.随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显.针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导.

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来源
《电子与封装》 |2016年第6期|21-23|共3页
作者
张文涛; 皓月兰;
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作者单位

中国电子科技集团公司第47研究所,沈阳110032;

中国电子科技集团公司第47研究所,沈阳110032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测量和检验;
关键词
场效应晶体管; 栅电荷; 测试; 可靠性;

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