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SOI材料片缺陷研究

         

摘要

SOI materials have capacity of radiation tolerant.Introduce process flow of two different type SOI materials(SIMOX and Bonded Smart-Cut).For SOI special structure: top Si/BOX/substrate,analyze the defect and effect of different SOI materials.Combine theory with practice,SOI materials detection has two types: direct detectable defect;indirect detect of materials features.Apply available method for detect the defect of SOI materials.%SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。

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