VDMOSFET低导通电阻改良研究

陆宁

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文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析,结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论,探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET器件导通电阻的途径.文中以实际VDMOSFET生产的引线孔刻蚀工艺为例,阐述了通过SOFT-ETCH工艺,改善接触孔表面损伤以达到降低VDMOSFET导通电阻的实现方法,通过详实的实验数据对比,证实SOFE-ETCH工艺对导通电阻的改良作用.

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来源
《电子与封装》 |2010年第11期|36-38|共3页
作者
陆宁;
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作者单位

上海贝岭电子有限公司,上海,200233;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
VDMOSFET; 引线孔; SOFT-ETCH; 导通电阻; 刻蚀;

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