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碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件

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摘要

本公开提供一种碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件，所述元胞结构包括位于所述漂移层表面内且设置于元胞结构两侧的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；其中，在所述源区远离所述元胞结构中心的一侧，所述漂移层于其表面向下设置有侧部沟槽；设置于所述阱区内，且位于所述侧部沟槽的底部和侧壁并与所述源区邻接的第二导电类型欧姆接触区；设置于所述源区上方和所述侧部沟槽内的源极金属层；其中，所述源极金属层同时与所述源区和所述欧姆接触区形成欧姆接触。本公开中通过先形成沟槽再倾斜离子注入的方式在阱区内形成与源区邻接的沟槽状的欧姆接触区，提高了器件的UIS耐性，使器件具有更高的动态雪崩可靠性。

著录项

公开/公告号CN112002751A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27

原文格式PDF
申请/专利权人湖南国芯半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN202010712289.5
发明设计人戴小平;高秀秀;谢思亮;汤晓燕;齐放;李诚瞻;
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申请日2020-07-22
分类号H01L29/417(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;陈敏
地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室
入库时间 2023-06-19 09:01:25

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