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大规模集成电路抗热载流子设计

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摘要

文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法.影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置.通过对这些因素的研究,文章提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则.

著录项

来源
《电子与封装》 |2008年第4期|25-28|共4页
作者
姜立娟; 赵峰; 唐拓;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032;

中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
热载流子; 可靠性设计; CMOS集成电路;

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