0.5μm OTP工艺开发与器件特性研究

马春霞; 李冰

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文章对0.5μm一次编程存储器(OTP)存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究.在一定的编程条件下,编程0.1ms时器件的阈值电压能够大于6V,控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0.1V,因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求.通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年.

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来源
《电子与封装》 |2008年第7期|34-38|共5页
作者
马春霞; 李冰;
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作者单位

东南大学集成电路学院,南京,210096;

东南大学集成电路学院,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
OTP; ONO; 编程速度; 编程串扰; 数据保持能力;

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