粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究

著录项

• 来源
  《电子与封装》 |2019年第6期|32-40|共9页
• 作者

  金鑫; 唐民; 于庆奎; 张洪伟; 梅博; 孙毅; 唐路平;

  展开▼
• 作者单位

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  中国空间技术研究院宇航物资保障事业部;

  北京100029;

  国防科技大学;

  长沙410073;

  展开▼
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 可靠性及例行试验;
• 关键词

  器件仿真; 28nm; 单粒子效应; 电荷共享; 多位翻转;