GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

高渊

首页> 中文期刊> 《电子与封装》 >GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连.在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响.微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性.分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性.

著录项

来源
《电子与封装》 |2019年第7期|37-3944|共4页
作者
高渊;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
GaAs通孔刻蚀; 微掩模; 聚合物;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究 [J] . 黄光伟 ,马跃辉 ,林伟铭 . 红外 . 2019,第010期
2. GaAs背面通孔刻蚀技术研究 [J] . 陈震 ,魏珂 ,王润梅 . 功能材料与器件学报 . 2004,第2期
3. 利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺 [J] . 顾炯 ,盛文伟 . 固体电子学研究与进展 . 1994,第2期
4. 中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备PrimoTSV200E（TM） [J] . . 电脑与电信 . 2012,第003期
5. 中微推出硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E^TM [J] . . 中国集成电路 . 2012,第004期
6. GaAs通孔刻蚀技术研究 [C] . 魏珂 ,陈震 ,刘新宇 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. 基于SPM的微等离子体无掩模扫描刻蚀加工方法的研究 [A] . 文莉 . 2012

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅