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乔明; 袁柳;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054;
功率集成器件; 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管; 横向绝缘栅双极型晶体管; BCD工艺; 兼容技术;
机译:在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素,并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:新型火炬技术与WBG功率器件兼容实现高质量的成膜
机译:适用于低功率集成电路的兼容MOS双极器件技术
机译:用于高功率密度应用的SiC功率器件的电气集成。
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的具有空桥结构的高频兼容小型带通滤波器
机译:一种高频兼容的小型化带通滤波器,采用基于GAAS的集成无源器件技术的空气桥结构
机译:高功率(T> 300℃)功率半导体电子器件材料和器件技术综述
机译:与逻辑集成兼容的MRAM器件和集成技术
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