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单粒子翻转效应的FPGA模拟技术

         

摘要

随着半导体工艺节点遵循摩尔定律逐渐缩小,空间环境中辐射诱发的单粒子效应(Single Event Effect,SEE)对集成电路造成的影响却在不断增加.单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)效应是最为普遍的单粒子效应,表现为电路存储单元和时序逻辑中的逻辑位翻转,在集成电路中常采用故障注入技术来模拟单粒子翻转效应.因此,重点研究了目前较为常用的3种故障注入技术,分别是现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)重配置,扫描链和旁路电路,分析了各自的优势和不足,并对未来的发展趋势进行了预测.

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