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氮化镓/硅功率电子元件晶圆温度的精确测量

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硅基氮化镓（Ga N/Si）元件的制作工艺中,金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）过程的温度测量难度较高。理论上,传统红外线高温计可以满足要求,硅基可以吸收整个沉积生长相关温度范围内的全部红外线。然而在工业应用中,反馈控制和统计过程控制（SPC）精度都会受到一种人为因素的影响。

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来源
《电子与封装》 |2016年第4期|44-44|共1页
作者
李星悦; 张礼怿; 赵博;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺及设备;
关键词
氮化镓; 高温计; 马格德堡; MOCVD; 金属氧化物; 反馈控制; 温度测量; 统计过程控制; 人为因素; 红外辐射;

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