声明
第一章 绪 论
1.1 GaN-on-Si增强型功率器件发展概述
1.2 研究工作的意义
1.3 本文的主要研究内容
第二章 GaN-on-Si增强型功率器件基础
2.1 GaN材料基础
2.2 GaN-on-Si功率器件基础
2.3 本章小结
第三章 GaN-on-Si增强型功率器件场控能带模型
3.1 GaN-on-Si增强型功率器件场控能带机理
3.2 陷阱电荷对2DEG浓度的影响
3.3 陷阱电荷分布函数的微分分析法
3.4 本章小结
第四章 GaN-on-Si增强型功率器件场控新结构及凹槽工艺
4.1 GaN-on-Si场控能带逆阻型功率器件
4.2 GaN-on-Si场控隧穿逆阻型功率器件
4.3 高温低损伤凹槽刻蚀工艺
4.4 本章小结
第五章 GaN-on-Si增强型功率器件的场致退化机理
5.1 重复脉冲过电流实验
5.2 场致退化机理
5.3 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 全文总结
6.2 后续工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
