基于8英寸化合物半导体器件生产技术开发硅基氮化镓功率器件

机译：迄今为止，GaN（氮化镓）GaN功率器件的吸引力在于：GaN功率器件的潜力，器件的功能以及实现收益的专有技术

机译：硅基氮化镓器件的功率增益截止频率和三端击穿电压的记录组合

机译：氮化镓基功率器件的发展趋势与硅器件相比，它实现了低损耗，高击穿电压和高温工作，每个公司的发展都在朝着大规模生产迈进。

机译：具有品质因数的商用硅基氮化镓分立功率器件的性能评估

机译：基于氮化镓功率器件的射频DC-DC电源转换的基于开关电容器的部分电源架构的设计和分析。

机译：通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓

机译：使用寄生萃取建模氮化镓功率器件的RF方法

机译：化合物半导体材料的合成及器件应用;氮化镓发光二极管。

机译：-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法，基于氮化镓的化合物半导体的制备方法，基于氮化镓的化合物半导体，发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源，发光半导体器件

机译：使用基于氮化镓类化合物半导体的III族氮化物半导体晶体的制造方法，氮化镓类化合物半导体和氮化镓类化合物半导体发光器件的半导体发光器件的制造方法的光源

机译：基于氮化镓基化合物半导体的发光器件的制造方法和基于氮化镓基化合物半导体的发光器件