氮化镓功率器件偏置电路

机译：迄今为止，GaN（氮化镓）GaN功率器件的吸引力在于：GaN功率器件的潜力，器件的功能以及实现收益的专有技术

机译：氮化镓基功率器件的发展趋势与硅器件相比，它实现了低损耗，高击穿电压和高温工作，每个公司的发展都在朝着大规模生产迈进。

机译：夏普开发额定电压为600V的氮化镓功率晶体管进入为电子产品节能做出贡献的功率器件市场

机译：GaN功率器件的最新趋势：氮化镓，氮化镓

机译：氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现

机译：通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓

机译：使用寄生萃取建模氮化镓功率器件的RF方法

机译：用于微波和射频控制应用的高功率氮化镓器件

机译：生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法，制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法，外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件

机译：氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法

机译：氮化镓晶体，氮化镓衬底，氮化镓晶体和半导体器件的表面处理方法以及氮化镓晶体衬底和半导体器件的制造方法