偏置电路

摘要： FSDM/H/L系列单片低功耗离线式开关电源芯片由飞兆公司研发和生产,电源电压输出控制方式是电流型脉宽调制(PWM),有“绿色芯片”之称。芯片内部集成有击穿电压为650V的“敏感型”场效应功率开关管.高压启动电流源、固定频率振荡器、内部偏置电路.脉冲前沿闭锁电路、欠压保护电路、过压保护电路、过载保护电路、异常过流保护、过热保护电路、自动重启动电路等。

摘要： 针对当前连续检波对数视频放大器(SDLVA)难以在30 GHz以上频段进行连续检波的局限,提出基于HSCH-9162检波二极管的检波电路设计方案:为解决检波二极管在低温下导通电压增大导致灵敏度降低的问题,对偏置电路的设计进行改进;为解决检波二极管动态范围过小的问题,采用双平衡Lange桥提高检波功率上限。产品设计和测试表明,该检波电路可在-55~+75°C宽温度范围内实现-76 dBm的切线灵敏度和35 dB的大动态检波输出。方案简单易行、成本低廉,在毫米波检波中具有应用优势。

摘要： 针对场磨式三维电场传感器产生的信号微弱、信噪比不足,且存在零点漂移等现象,导致无法进行有效的A/D转换的问题,研究了一种包含I-V积分变换电路、差分放大电路以及偏置电路的放大电路,对传感器产生的微弱信号进行放大、平移处理达到A/D转换要求。通过Multisim 12.0仿真对I-V积分变换电路中的反馈电阻与积分电容的参数进行优化,优化了电路的通频带的中心频率和带宽;设计了一种二级差分放大电路及偏置电路,满足了信号的A/D转换要求。将场磨式三维电场传感器的输出信号经过设计的放大电路进行实际测试,实验证明了本电路有效提高了信号放大电路的灵敏度,提高了信号的信噪比,同时提高了电路的抗干扰能力。

摘要： 采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器电路结构,以提高增益平坦度和扩展带宽.同时,针对线性度较低的问题,在有源反馈偏置电路中采用了并联反馈电容的方法来抑制谐波分量的影响,从而提高放大器的线性度.仿真结果显示:在放大器的工作频段内,小信号增益为22.5 dB,增益平坦度为±0.5 dB,噪声系数小于1.7 dB.在频率为4.2 GHz处OIP3可达48 dBm,0.8 GHz处P1dB可达21.4 dBm.版图尺寸为0.85 mm×0.85 mm.

摘要： 基于GaAs HBT工艺设计了一款高线性、全集成的宽带功率放大器(PA).芯片采用倒扣的装配方式.该功率放大器包括驱动级和功率级,工作频率为1.71～2.05 GHz.通过多级匹配增大带宽,实现了对GSM/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖.测试结果表明,在整个工作频带内功率增益约为30 dB.工作电压为3.5V,输出功率为28 dBm,采用10 MHz 50RB QPSK LTE信号测试时,功率附加效率(PAE)约为37％,邻信道泄漏比(ACLR)约为-38 dBc.芯片尺寸为0.755 mm×0.8 mm.

摘要： 低压共源共栅电流镜由于大的输出阻抗、稳定的输出电流和较大的输出电压摆幅而广泛应用于模拟集成电路中,但是它需要额外的偏置电路来保证晶体管工作在饱和区.主流的偏置电路有三种结构:双输入型、倒宽长比型和自偏置型.详细分析每一种偏置电路的工作原理,给出电路设计要点及规则,并基于0.5μm BCD工艺和Spectre软件对它们进行输出特性、电源特性和温度特性仿真.仿真结果显示:双输入型和倒宽长比型结果基本一致;自偏置型虽需要更高的电源电压但更适用于低功耗电路.

摘要： 基于硅基半导体器件的功放模块,由于器件本身物理结构特性引起的功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率的控制不当,导致调制邻道功率(Modulation of Adjacent Channel Power,ACP)以及瞬态切换邻道功率(Adjacent channel transient power,ACTP)较差,从而引起邻道干扰.针对硅基半导体器件功放模块在数字对讲机中的应用,创造性地提出了一种新的方法,对功放栅极偏置电路优化,从理论上分析和推导出功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率对ACP以及ACTP的影响,并在实际应用中通过适当调节对讲机功放模块栅极偏置电路电容以及串联电阻,实现了功放开关的上升沿以及下降沿斜率调节.实验结果表明:该方法在不影响功放输出功率以及效率的前提下,当信道间隔为12.5 kHz时,ACP＜-60 dBc,ACTP＜-50 dBc,有效改善了ACP、ACTP的性能,具有一定的实际意义和应用价值.

摘要： 文章基于可编程SNS型约瑟夫森结阵,研究了一种交流量子电压驱动方法.该方法根据结阵的Ⅰ-Ⅴ特性,通过控制各段结阵的偏置状态及组合方式,实现交流量子电压的合成.采用电压源驱动方式,将节点电流分析法应用在偏置电路参数计算中,设计了偏置模块,搭建了交流约瑟夫森量子电压驱动系统.实验结果表明,该系统偏置电流的建立时间为1.27μs,稳定性优于6 nA/min,输出电流分辨率可达0.01 mA,可以合成频率为50 Hz、每周期40个采样点、有效值为1V的交流约瑟夫森量子电压信号.

摘要： SiC基温度传感器由于可以实现比Si基温度传感器高得多的工作温度而备受重视.从理论和实验两方面研究影响SiC SBD基温度传感器灵敏度的因素.基于热电子发射理论的解析模型表明影响温度传感器灵敏度的因素主要是理想因子.采用Spice仿真不同偏置电流下SiC SBD的V?T关系,结果表明灵敏度随着正向电流的减小而增大并且线性度良好.采用10 mA的恒流源偏置电路测试了三个厂商的SiC SBD的V?T特性,结果发现三种SiC SBD测温上限均高于400 °C,并且线性度较好,灵敏度均接近1.5 mV/°C.最后对提高SiC SBD基温度传感器的灵敏度提出了优化设计方案.%The SiC-based temperature sensor receives great attention as it can realize much higher work temperature than the Si-based temperature sensor. The sensitivity influencing factors of the SiC SBD based temperature sensor are studied theoreti-cally and experimentally. The analytical model based on the thermionic emission theory shows that the sensitivity influencing fac-tors of the temperature sensor are mainly ideal factors. The Spice is adopted to simulate the V-T relationship of SiC SBD at differ-ent bias currents. The results show that the sensitivity increases as the forward current decreases,and the linearity is good. The bias circuit with 10 mA constant current source is adopted to test the V-T feature of three manufactures′ SiC SBDs. The results show that the upper temperature limits measured by the three SiC SBDs are all higher than 400 °C,the linearity is good,and the sensitivity is close to 1.5 mV/°C. At last,an optimization design scheme for improving the sensitivity of SiC SBD based tem-perature sensor is proposed.

摘要： 本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55°C～125°C得到的温度漂移指标为37.58ppm/°C,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.

摘要： 本文介绍一种基于平面肖特基势垒变容二极管的340GHz非平衡式三倍频器设计.为了便于二极管的散热和偏置电路的接入与装配而采用非平衡式结构,电路中的无源部分以及二极管的线性寄生参数在HFSS中建立模型并导入ADS中进行谐波平衡仿真,通过HFSS和ADS的联合仿真与优化获得最佳二极管嵌入电路.输入信号功率为100mW,频率为115.8GHz时得到最佳变频效率为12.404dB,在330GHz至360GHz范围内变频损耗优于14.6dB.

摘要： 本文结合C波段固态放大器调试中遇到的问题仿真分析了扼流圈对放大电路的影响，给出了扼流圈选择时需要注意的几个方面。

摘要： 随着GaAsFET和MMIC技术的发展，GaAs微波功率器件在微波系统中得到了广泛的应用。文中设计了由3个固态功率器件级联的微波功率放大器，通过减宽腔体有效的抑制了因增益过高引起的自激现象，设计了紧凑的MMIC偏置电路以及散热结构。经测试证明，该模块在13.9～14.4GHz范围内输出功率大于42dBm。

摘要： 本文介绍了脉冲功率放大器的调制方式以及各自的优缺点，用ADS对功率放大器直接脉冲调制方式进行仿真，根据仿真结果分析了功率放大器偏置电路对脉冲上升沿和下降沿的影响，从而提出了应如何设计功率放大器的偏置电路来改善脉冲的上升沿和下降沿．

摘要： 本文对推-推压控振荡器的构成进行了简述，并从匹配、偏置电路、谐波抑制及功率方面对电路设计难点进行了分析。根据分析结果完成的Ku波段推-推压控振荡器证明可以实现优良的电特性。

摘要： 本文设计了一款中心频率945MHz的功率放大器.给出了功率放大器的设计过程和测试结果.使用源和负载牵引法获得了最佳源和负载阻抗,并对功放的输出功率、增益和功率附加效率进行了仿真和实物测试.测试结果表明,当功率放大器工作在945MHz,漏极供电3.1V时,1dB压缩点大于40dBm,PAE大于50％,增益大于18dB.

摘要： 本文设计了一款中心频率945MHz的功率放大器.给出了功率放大器的设计过程和测试结果.使用源和负载牵引法获得了最佳源和负载阻抗,并对功放的输出功率、增益和功率附加效率进行了仿真和实物测试.测试结果表明,当功率放大器工作在945MHz,漏极供电3.1V时,1dB压缩点大于40dBm,PAE大于50％,增益大于18dB.

摘要： 本文设计了一款中心频率945MHz的功率放大器.给出了功率放大器的设计过程和测试结果.使用源和负载牵引法获得了最佳源和负载阻抗,并对功放的输出功率、增益和功率附加效率进行了仿真和实物测试.测试结果表明,当功率放大器工作在945MHz,漏极供电3.1V时,1dB压缩点大于40dBm,PAE大于50％,增益大于18dB.

摘要： 本文设计了一款中心频率945MHz的功率放大器.给出了功率放大器的设计过程和测试结果.使用源和负载牵引法获得了最佳源和负载阻抗,并对功放的输出功率、增益和功率附加效率进行了仿真和实物测试.测试结果表明,当功率放大器工作在945MHz,漏极供电3.1V时,1dB压缩点大于40dBm,PAE大于50％,增益大于18dB.

摘要： 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。

摘要： 本发明公开了一种应用于LDO的动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块、自适应瞬态偏置电流产生模块以及偏置电压产生模块；自适应稳态偏置电流产生模块提供自适应稳态偏置电流，自适应稳态偏置电流可以根据负载电流的大小，自适应调整环路的偏置电流；自适应瞬态偏置电流产生模块提供自适应瞬态偏置电流，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。本发明还公开了一种应用动态偏置电路的LDO，通过动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管MPower、补偿电容Cm、电容CL和电阻RL等模块的连接，增强了瞬态特性，使LDO可以在保持低功耗的同时高性能地应对不同的负载情况。

摘要： 本发明公开了一种高精度自偏置时钟电路及相应的自偏置电路，包括启动电路、自偏置电路以及振荡器电路；其中，所述自偏置电路通过设置一运算放大器，利用运算放大器的负反馈作用实现电压基准，从而不需要额外的基准电压，避免了额外的电路面积和功耗开销。此外，本发明利用电阻和电容的温度系数小的特性，产生与温度无关的时钟信号，提高了时钟信号的精度。

摘要： 本申请公开了输出缓冲电路、稳压有源偏置电路、有源偏置电路，其中，稳压有源偏置电路，包括输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的温度补偿电路、与所述输出缓冲电路连接的串联反馈电路，具有结构简单、尺寸小，静态功耗小、输出偏置电压可调、移植性强等优点，提高了稳压有源偏置电路模块的实用性；有源偏置电路，包括输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的稳压有源偏置模块，稳压有源偏置模块集抑制温度、电源波动功能于一体，电路结构更加简单，可调自由参数更多，可实现易于GaAs PHEMT射频放大器集成。

摘要： 本申请提供了偏置电路和自偏置的OSC电路。该偏置电路用于为OSC电路提供偏置电流；该偏置电路的阻抗模块和第一开关模块串联连接于该OSC电路的电源端及该OSC电路的偏置电流输入端之间，当该OSC电路开启后，即第一开关模块导通后，利用该OSC电路的电源即可通过阻抗模块向OSC电路提供偏置电流，进而使得该OSC电路可以实现自偏置，因此该偏置电路可以降低外偏置带来的功耗。

摘要： 本发明公开了一种应用于LDO的动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块、自适应瞬态偏置电流产生模块以及偏置电压产生模块；自适应稳态偏置电流产生模块提供自适应稳态偏置电流，自适应稳态偏置电流可以根据负载电流的大小，自适应调整环路的偏置电流；自适应瞬态偏置电流产生模块提供自适应瞬态偏置电流，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。本发明还公开了一种应用动态偏置电路的LDO，通过动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管MPower、补偿电容Cm、电容CL和电阻RL等模块的连接，增强了瞬态特性，使LDO可以在保持低功耗的同时高性能地应对不同的负载情况。

摘要： 本发明提供一种包络跟踪偏置电路、功率放大装置和偏置电路。所述包络跟踪(ET)偏置电路包括：检测电路，被配置为响应于第一控制信号来选择通过所述检测电路的第一输入端子输入的ET操作电压或者从通过所述检测电路的第二输入端子输入的射频RF信号检测的包络信号，并输出所述ET操作电压和所述包络信号中的选择的一个作为检测信号；放大电路，被配置为放大所述检测信号，并输出所述放大的检测信号；以及偏置输出电路，被配置为基于所述放大的检测信号生成ET偏置电流，并输出所述生成的ET偏置电流。

摘要： 本发明公开了一种高精度自偏置时钟电路及相应的自偏置电路，包括启动电路、自偏置电路以及振荡器电路；其中，所述自偏置电路通过设置一运算放大器，利用运算放大器的负反馈作用实现电压基准，从而不需要额外的基准电压，避免了额外的电路面积和功耗开销。此外，本发明利用电阻和电容的温度系数小的特性，产生与温度无关的时钟信号，提高了时钟信号的精度。

摘要： 本发明提供的预偏置开关机电路和多级联变换器预偏置电路、方法，应用于通信领域。预偏置开关机电路包括检测模块和控制模块：检测模块与多级联变换器的输出端连接，用于检测多级联变换器的输出信号；控制模块与多级联变换器的推挽电路连接，用于根据检测的输出信号，当输出信号为预设输出信号时产生预偏置信号，并利用预偏置信号控制推挽电路的整流管驱动开关电路。与现有技术相比，本发明在直流变换器上增加预偏置开关机电路，通过检测多级联变换器的输出信号来判断是否需要预偏置开关机，其实现简单，切入点控制精确。解决了由于负载预偏置电压造成续流开关管反向电流过大损坏器件的问题，也防止了变换器输出电压的跌落。

摘要： 根据本发明的示例性实施方式的麦克风包括向传感器提供可变偏置电压的偏置电路。所述偏置电路包括：稳压器，其接收参考电压和控制电压以输出可变电压；数模转换器，其接收数字控制信号以向稳压器提供控制电压；以及电荷泵，其接收从稳压器输出的可变电压以输出比所述可变电压更高的可变电压。