电源抑制比
电源抑制比的相关文献在1995年到2022年内共计613篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文282篇、会议论文11篇、专利文献278900篇;相关期刊111种,包括电子产品世界、电子与封装、电子技术应用等;
相关会议10种,包括第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛 、2013四川省电子学术年会、中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会等;电源抑制比的相关文献由1177位作者贡献,包括张波、冯全源、周泽坤等。
电源抑制比—发文量
专利文献>
论文:278900篇
占比:99.90%
总计:279193篇
电源抑制比
-研究学者
- 张波
- 冯全源
- 周泽坤
- 石跃
- 王卓
- 孙伟锋
- 时龙兴
- 明鑫
- 罗萍
- 邓龙利
- 陆生礼
- 刘铭
- 邹雪城
- 应建华
- 李泽宏
- 祝靖
- 胡任任
- 刘政林
- 叶飞
- 吴玉广
- 周前能
- 曾以成
- 李靖
- 毛焜
- 王永寿
- 王磊
- 甄少伟
- 章国豪
- 郑朝霞
- 陈超
- 于奇
- 仪梦帅
- 刘丹
- 刘斯扬
- 吴建辉
- 唐浩月
- 宁宁
- 左亮
- 廖鹏飞
- 张国俊
- 张春奇
- 张远燚
- 彭映杰
- 朱樟明
- 李威
- 李景虎
- 李红
- 李红娟
- 李英祥
- 来新泉
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奚冬杰;
徐晴昊
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摘要:
介绍了一种新型电压基准电路,基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源。利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差,从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流。将电路整个工作温度区间分为两段,利用分段线性电流完成补偿,且增加三极管基极电流补偿技术,最终得到高精度的基准输出电压。仿真结果表明,在-55°C~125°C温度范围时,基准电压源温度系数为1.208×10-6/°C,低频时电源抑制比低于-88 dB。当电源电压从2.5 V升至5 V时,线性调整率为0.108 mV/V。
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茅欣彧;
汪西虎;
姚和平;
闫兆文
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摘要:
为了满足便携式电子设备的需求,设计了一种低漏失高稳定的LDO。利用正反馈环路钳位电压,获得高精度采样电流。通过调整工作在深线性区的MOS管的等效电阻,产生跟踪负载电流的零点。设置负载电流监测电路,控制大负载电流下的跟踪零点,对输出极点进行补偿。结合阻抗衰减技术,实现LDO在全负载范围内的稳定;通过将第一级运放输出端极点推离原点,减小电源抑制比在中频的衰减。基于0.18μm CMOS工艺完成电路和版图的设计,电路最大负载电流为500 mA。仿真结果表明,在不同负载电流下,LDO环路最小相位裕度为52°,PSRR在1 kHz可达85 dB,线性调整率为0.01%/V,负载调整率为0.4 mV。
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徐叶;
张培勇;
李豪;
黄开天
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摘要:
为改善无片外电容LDO(Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO)的电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR),本文提出一种低静态电流PSR自适应优化方案.采用push-pull放大器,避免复杂的频率补偿电路与片外大电容,缩小了面积.为优化中频段PSR,在功率管栅极注入一个与频率相关的补偿电流.采用低静态电流的补偿电流动态调整方案,减小压差和负载电流变化对PSR优化效果的影响.该LDO基于0.11μm CMOS工艺,芯片面积为0.026 mm^(2).测试结果表明,在0.1~80 mA负载电流下,静态电流最大值为55μA.在8 kHz到1 MHz频率范围内,在不同压差和负载电流下,PSR最大优化值为21~37 dB.
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温立国;
沈红伟;
田露;
原义栋
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摘要:
针对电源管理类芯片对宽输入范围、高电源抑制比的需求,设计一款新型带隙基准电路。外部电源经两级限压限流得到核心基准模块的电源,该电源相对输入具有很高的电源抑制比,充分保障了内部模块供电的稳定。温度补偿部分通过压控电流反馈和高低温分段补偿技术实现了基准源的高精度输出。基于HHGRACE 180nm BCD工艺设计,输入电源工作范围3-50V、电源抑制比-100dB@1MHZ、输出参考电源1.237V、工作温度在-40~130°C范围内、温度系数9.6 ppm/°C。PVT条件下电压变化小于5mV、波动范围±0.2%,能够满足电源系统对参考电压的要求。
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赵鹏飞;
甘业兵
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摘要:
提出了一种新型带隙基准结构,该电路结构用于在大范围电源电压下产生高精度与温度成正比的电流源.通过将三极管作为运放的输入端,预先产生一个与温度成正比的电压差,来降低运算放大器失调电压的影响,同时降低带隙基准电路对电源电压的要求.通过0.18μm CMOS工艺搭建电路进行功能与性能的仿真验证,仿真结果表明该电路在电源电压从1.1V变化到4.8V,输出为2μA时,电流偏差不到2nA,电源抑制比达到100dB.在用于温度测量时可以显著减小由电源电压变化引起的误差.
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黄海生;
叶小艳;
李鑫;
惠强;
袁凡
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摘要:
提出一种高电源电压抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)的带隙基准电压源设计方案.在传统带隙基准电路的基础上,对运算放大器模块进行改进.采用以低压结构的电流镜作为尾电流、共源共栅结构为输出阻抗的运算放大器吸收电源波动,使得输出电压逼近于电源电压,以提高电源电压抑制比.仿真结果表明,当仿真频率为100 Hz时,设计的基准电压源PSRR为-89.09 dB;在25°C、3.3V电源电压条件下,设计的基准电压源输出电压为1.258 V,功耗为25.9 μW;在-40~125°C内,温度系数为6.26 ppm.所提方案具有较高的电源电压抑制比,同时兼顾电路功耗.
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黄海生;
叶小艳;
李鑫;
惠强;
袁凡
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摘要:
提出一种高电源电压抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)的带隙基准电压源设计方案。在传统带隙基准电路的基础上,对运算放大器模块进行改进。采用以低压结构的电流镜作为尾电流、共源共栅结构为输出阻抗的运算放大器吸收电源波动,使得输出电压逼近于电源电压,以提高电源电压抑制比。仿真结果表明,当仿真频率为100 Hz时,设计的基准电压源PSRR为-89.09 dB;在25°C、3.3 V电源电压条件下,设计的基准电压源输出电压为1.258 V,功耗为25.9μW;在-40~125°C内,温度系数为6.26 ppm。所提方案具有较高的电源电压抑制比,同时兼顾电路功耗。
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孙海艳;
刘尧
- 《第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛》
| 2016年
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摘要:
本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55°C~125°C得到的温度漂移指标为37.58ppm/°C,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.
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JIN Li-na;
靳丽娜
- 《2013四川省电子学术年会》
| 2013年
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摘要:
针对传统LDO有较大片外电容的缺点,在分析低压差线性稳压器系统结构及工作原理的基础上,完成了低压差、高精度、内置频率补偿的LDO的分析与设计.在优先考虑低压差和高稳定性的同时,该电路实现了很好的负载调整能力和线性调整能力,同时具有较高的电源抑制比.此外,系统还引入了使能控制和过温保护模块以完善LDO芯片整体功能,确保电路安全可靠.
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汪洲;
刘泰源;
廖永波;
李平
- 《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文设计了一种0.5μmCMOS工艺的高精度、自偏置的带隙基准电压源电路。本电路用PTAT电流为内部运放提供电流偏置,省去了常规所需的运放电流偏置电路,降低了功耗,节省了芯片面积.利用Cadence的Spectre仿真结果显示,在-40~150°C范围内温度系数为4.69ppm/°C,电源抑制比达77dB.此电路可作为IP Core广泛应用于A/D、D/A、电源管理等芯片中的电压基准电路。
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高国清;
冯勇建
- 《中国微米纳米技术第七届学术年会》
| 2005年
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摘要:
本文采用0.5μmCMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40~120°C范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/°C;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.
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张冰;
庞世甫;
王继安;
李威;
龚敏
- 《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会》
| 2006年
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摘要:
提出了一种基于传统带隙基准电压源,具有良好热稳定性的三端可调分流电压片外基准源,利用内部2.5V的基准电压,使用分压电阻对输出形成深度负反馈,使输出电压可以稳定在2.5V~30V宽范围内调节。用4um 45V Bipolar工艺,利用Cadence Spectre工具来仿真,在宽范围负载电流条件下,输出电压连续可调,并且具有很好的温度特性。
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张冰;
庞世甫;
王继安;
李威;
龚敏
- 《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会》
| 2006年
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摘要:
提出了一种基于传统带隙基准电压源,具有良好热稳定性的三端可调分流电压片外基准源,利用内部2.5V的基准电压,使用分压电阻对输出形成深度负反馈,使输出电压可以稳定在2.5V~30V宽范围内调节。用4um 45V Bipolar工艺,利用Cadence Spectre工具来仿真,在宽范围负载电流条件下,输出电压连续可调,并且具有很好的温度特性。