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殷嘉琳; 李富华; 黄君山; 侯汇宇;
苏州大学 江苏苏州215000;
苏州格美芯微电子有限公司 江苏苏州215000;
带隙电压基准源; 电源抑制比; 低功耗; 温度系数;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:使用单节点方法设计高电源抑制比互补金属氧化物半导体带隙电压参考
机译:具有高电源纹波抑制比的电流模式带隙基准的分析和设计
机译:高电源抑制CMOS带隙基准电压源的设计与分析
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:设计有前途的中红外非线性光学材料的新策略:缩小带隙以实现较大的非线性光学效率并降低高激光诱导损伤阈值的热效应
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:用于高效聚合物太阳能电池的高结晶和低带隙供体聚合物。
机译:适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译:具有高电源抑制比的带隙基准电压源
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