一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

张斌

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提出了一种用于温度传感器的高电源抑制比（PSRR）、低温度系数、低功耗的CMOS带隙基准电压源。在传统CMOS带隙基准电压电路的基础上，增加了优化的电源抑制比增强电路，在带隙基准反馈环路中引入电源噪声，使上面电流镜的栅源电压保持恒定值，从而提高电源抑制比。采用自偏置共源共栅电流镜，来实现匹配更好的与绝对温度成正比（PTAT）电流镜像。采用华虹宏力0.13um FS13QPR CMOS工艺实现，使用HSPICE仿真。仿真结果表明电路输出基准电压为1.2V，电源抑制比在1K Hz时达到90dB，在-40～100℃的温度范围内温度系数是10ppm/℃，在1.8～3.6V工作电压范围内的线调整率为0.5mV/V，工作电流43uA。

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来源
《电子世界》 |2014年第20期|186-187,188|共3页
作者
张斌;
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作者单位

上海华虹宏力半导体制造有限公司;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
带隙基准电压; 电源抑制比; 自偏置共源共栅电流镜; 温度传感器;

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