带隙基准

摘要： 设计一种具有失调电压抑制能力的低功耗带隙基准电路,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行实现。通过对新型带隙基准结构工作机理进行分析可知,与常规带隙基准电路相比,新型带隙基准结构具有明显的失调电压抑制能力,降低了对误差放大器的性能要求,具有低功耗、低失调电压和结构简单等优点。

摘要： 集成电路的核心器件尺寸越来越小,传统工艺逐渐不能满足要求。文章基于Global Foundries 22 nm FDSOI先进工艺,利用自偏置折叠共源共栅运算放大器,设计了一款带隙基准电压源,仿真结果表明,在电源电压为1.53~1.8 V范围内,输出电压为800 mV;在不同的工艺角下,温度从-40~125°C变化,输出电压在786.3~806.5 mV之间,变化范围为-14~6.5 mV,精确度为-1.75%~0.81%。

摘要： 传统的线性稳压器芯片中,输出端口外接μF级电容可以确保环路稳定工作,但占用面积较大,不适合于片上集成系统,而无片外电容式线性稳压器的pF级负载电容会严重降低环路稳定性,负载突变也会导致输出电压产生跳变,因此,为提高线性稳压器的工作稳定性,同时保证其良好的瞬态响应性能,设计一款无片外电容同时具有低功耗和大输出电流的线性稳压器。基于带隙基准电压源相关原理对各模块展开设计,并利用Cadence Spectre软件从子模块到整体系统进行仿真与验证。实验结果表明所设计器件工作稳定、达到预期指标。

摘要： 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种幅度、频率、占空比可调的集成双极性神经刺激脉冲发生器。利用带隙基准电流源产生基准电流,通过两级电流镜级联将电流复制和放大以实现幅度范围可调。采用脉冲宽度调制(PWM)信号控制H桥开关管的通断实现频率、占空比可调的双极性信号。利用Cadence仿真软件,对电路进行了仿真。结果表明:当电源电压为5 V,在-40~100°C下,基准电流温漂系数为5.38×10^(-6)/°C;系统可产生幅度为0.01~10 mA,频率为1 Hz~2 kHz,脉冲宽度为20~1 000μs范围内可调的双极性脉冲信号。

摘要： 针对电源管理类芯片对宽输入范围、高电源抑制比的需求,设计一款新型带隙基准电路。外部电源经两级限压限流得到核心基准模块的电源,该电源相对输入具有很高的电源抑制比,充分保障了内部模块供电的稳定。温度补偿部分通过压控电流反馈和高低温分段补偿技术实现了基准源的高精度输出。基于HHGRACE 180nm BCD工艺设计,输入电源工作范围3-50V、电源抑制比-100dB@1MHZ、输出参考电源1.237V、工作温度在-40~130°C范围内、温度系数9.6 ppm/°C。PVT条件下电压变化小于5mV、波动范围±0.2%,能够满足电源系统对参考电压的要求。

摘要： 为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压V的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证。在-40~85°C温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10^(-4)/°C,电源电压抑制比可达到-88 dB。

摘要： 针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于0.18μm CMOS工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的Neuteboom带隙电路,在5 V电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40~125°C温度范围内,实现了2.98×10^(-6)/°C的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为2.3840~2.5154 V,电压修调步长为2 mV。

摘要： 文中提出一种用于总线收发器的结构简单的欠压保护电路,其自身含有带隙基准结构,并采用比例电流镜和正反馈实现带有迟滞的欠压保护,在非常宽的温度范围内具有良好的独立性和稳定性,且其阈值电压在较大范围内精确可调,从而能针对性地解决汽车总线收发器工作时温度变化大和外界干扰重等问题。基于TSMC的180 nm BCD工艺,对该电路进行理论推导、仿真验证和版图设计。PSpice仿真和流片结果表明:与以往相同工艺条件下的欠压保护电路相比,版图面积减小47%;当电源电压在0~6 V变化时,该电路能在-40~150°C范围内实现欠压保护,迟滞大小为120 mV,阈值电压约为3.42 V;常温时5种工艺角下电路的阈值电压和迟滞大小基本不变,平均功耗电流值均在可控范围内。

摘要： 介绍并设计一款具有高阶曲率补偿功能的开关电容式带隙基准电压源,采用自动调零技术,克服传统线性基准的失调缺陷,消除了失调电压的影响,提高了运放的输出精度.设计采用虚拟管,降低开关管关断时带来的寄生效应;通过架构引入高阶补偿项,使输出电压温度曲线为正弦型,显著降低了温度系数.电路在0.35μm标准CMOS工艺下实现,通过仿真得到在一定温度范围内的温度系数、温度漂移及线性调整率等.所设计电器可作为一种典型的离散时间带隙基准,在以具有高精度为特点的电路中有一定的应用价值.

摘要： 随着人工智能时代电子产品的智能化飞速发展,对手机等终端的要求越来越高,该文结合传统的带隙基准电路原理,分析其优缺点并改进了带隙基准电路.改进的电路包括启动电路模块、带隙核心模块、运放模块等3部分,启动电路取消了电容结构,使得电路能加速启动.采用PNP三极管匹配3个等尺寸的PMOS管设计了带隙核心电路,采用差分+共源结构设计了高增益的运放;仿真结果表明,在-20～+80°C温度范围内,基准电路的温度系数约6.9 ppm/°C,在10 kHz的频率范围内电源抑制比(PSRR)可达到-53 dB以上.

摘要： 本文提出了一种高精度的带隙基准电压源。其原理是在利用三极管VBE的负温度系数和PTAT电压正温度系数进行加权求和的基础上，通过β补偿技术以提高精度，最终得到与温度几乎无关的基准电压。此外，本电路具有简单的自启动电路和频牢补偿电路。该电路由TSMC的BCD工艺实现，在HSPICE下进行了仿真。仿真结果表明，输出电压1.22V，在-40°C-120°C路范围内的温度系数TC为3.6ppm/°C，PSRR在25°C时为52.5dB。

摘要： 随着芯片集成度的不断提高，现在的芯片系统要求上电复位电路有越来越多的监控机制。本文首先通过比较常规上电复位电路结构，并总结了它们的优缺点。最后提出基于带隙基准结构优化的上电复位电路，该电路使得复位电路在上电复位和下电复位时具有不同的复位电压点;复位电压点可准确调节，可用于低电压复位;且比较器输入具有一定的温度补偿特性。

摘要： 本文针对带隙基准电路中基极一发射级与温度的非线性特点,利用Bipolar管的电流增益β和温度的特性,对带隙基准电路进行指数补偿,以消除高阶温度项,改善输出基准电压的温度特性。

摘要： 提出了一种结构简单的高精度CMOS基准电压源电路,与传统的带隙电压基准电路相比,只增加一个电阻和一组电流镜,产生含有高阶项的正温度系数电流对VBE的负温度系数补偿,从而得到高精度、低温漂的带隙基准电压源.采用MagnaChip0.5μm标准CMOS工艺,使用HSPICE仿真,在-40～125 °C温度范围内,温度系数为2.335ppm/°C,电源抑制比65dB.

摘要： 随着SoC在便携产品中越来越多的应用,低功耗技术变得越来越重要.针对SoC系统的低功耗需求,本文采用华润上华0.18um CMOS工艺在Aether全定制集成电路设计环境下完成了一种低功耗的CMOS电压基准电路设计.仿真结果表明:该电路(含启动电路)的功耗小于500nW.在1.2V-1.8V电压范围内,输出基准电压为605mV;在-40°C到140°C内,温度系数TC为40ppm/°C;10kHz带宽范围内的电源抑制比PSRR为37dB.

摘要： 在基于运放的传统带隙基准电压源电路结构的基础上，通过在运放中引入增益提高级，实现了一种用于∑-△A／D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比(PSRR)和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18μmCMOS工艺实现。利用Cadence／Spectre仿真器进行仿真，结果表明，在1.8V电源电压下，-40°C～125°C范围内，温度系数为9.699ppm／°C;在27°C下，10Hz时电源抑制比为90.2dB，20KHz时为74.97dB。

摘要： 本文设计了一种频率受电源电压和温度变化影响很小的弛张振荡器.振荡器采用单比较器的电流脉冲电位重置型结构.通过稳定其供电电压和比较电压,形成频率和占空比恒定,受电源电压和温度影响很小的振荡器.振荡器工作电压5.5v-7.5v,工作频率为330kHz,占空比设计50％,通过CSMC 0.5um工艺模型仿真验证其频率稳定性.

摘要： 本文设计了一种频率受电源电压和温度变化影响很小的弛张振荡器.振荡器采用单比较器的电流脉冲电位重置型结构.通过稳定其供电电压和比较电压,形成频率和占空比恒定,受电源电压和温度影响很小的振荡器.振荡器工作电压5.5v-7.5v,工作频率为330kHz,占空比设计50％,通过CSMC 0.5um工艺模型仿真验证其频率稳定性.

摘要： 本文设计了一种频率受电源电压和温度变化影响很小的弛张振荡器.振荡器采用单比较器的电流脉冲电位重置型结构.通过稳定其供电电压和比较电压,形成频率和占空比恒定,受电源电压和温度影响很小的振荡器.振荡器工作电压5.5v-7.5v,工作频率为330kHz,占空比设计50％,通过CSMC 0.5um工艺模型仿真验证其频率稳定性.

摘要： 本文设计了一种频率受电源电压和温度变化影响很小的弛张振荡器.振荡器采用单比较器的电流脉冲电位重置型结构.通过稳定其供电电压和比较电压,形成频率和占空比恒定,受电源电压和温度影响很小的振荡器.振荡器工作电压5.5v-7.5v,工作频率为330kHz,占空比设计50％,通过CSMC 0.5um工艺模型仿真验证其频率稳定性.

摘要： 本发明涉及具有启动电路(2，22)的带隙基准电路(1)以及用于启动带隙基准电路的方法。启动电路(2)在电阻器(R3)两端电压达到预置的阈值电压前协助带隙基准电路(1)启动，并在电阻器(R3)两端电压降达到预置的阈值电压时启动电路自动断开。电阻器(R3)与带隙基准电路(1)的二极管半导体(D2)串联连接。作为另一种选择，启动电路(22)在带隙基准电路(1)内一个节点(B1，B2)处的电位和带隙基准电路(1)另一节点(B0)处的电位之间的差值电压，即正比于带隙基准电路(1)的输出电压(Vout)或输出电流的电位，达到预定的阈值电压之前协助带隙基准电路(1)的启动。一旦差值电压达到阈值电压，启动电路(22)自动断开。本发明还涉及启动带隙基准电路(1)的对应方法。

摘要： 本发明涉及具有启动电路(2，22)的带隙基准电路(1)以及用于启动带隙基准电路的方法。启动电路(2)在电阻器(R3)两端电压达到预置的阈值电压前协助带隙基准电路(1)启动，并在电阻器(R3)两端电压降达到预置的阈值电压时启动电路自动断开。电阻器(R3)与带隙基准电路(1)的二极管半导体(D2)串联连接。作为另一种选择，启动电路(22)在带隙基准电路(1)内一个节点(B1，B2)处的电位和带隙基准电路(1)另一节点(B0)处的电位之间的差值电压，即正比于带隙基准电路(1)的输出电压(Vout)或输出电流的电位，达到预定的阈值电压之前协助带隙基准电路(1)的启动。一旦差值电压达到阈值电压，启动电路(22)自动断开。本发明还涉及启动带隙基准电路(1)的对应方法。

摘要： 本公开涉及一种带隙基准电路及带隙基准芯片。带隙基准电路包括：电源、嵌位电路、第一晶体管、第二晶体管、等效电阻电路和基准电压输出电路；嵌位电路的输入端与电源相连，嵌位电路的输出端分别与所述第一晶体管和第二晶体管相连，用于控制第一晶体管的输入端和第二晶体管的输入端处于虚短路状态；等效电阻电路与第二晶体管的输出端相连，用于为等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管提供电流，其中，等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管工作在线性区；基准电压输出电路与等效电阻电路相连，用于根据等效电阻电路的电压生成基准电压。如此，可以有效减小电阻面积，进而减小带隙基准电路的面积，节约成本。

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本申请公开了一种带隙基准电路、带隙基准芯片及电源管理芯片，该带隙基准电路包括启动电路和工作电路，启动电路包括启动支路和触发支路，启动支路包括第一启动开关管和第一NMOS管，第一启动开关管的控制端用于接收使能信号；触发支路包括第二NMOS管、第二启动开关管和第三启动开关管。当第一启动开关管收到使能信号，第一NMOS管管的漏极电压升高，触发第三启动开关管导通，进而触发第二启动开关管导通，输出端开始为工作电路充电，直至充电电流将第二NMOS管的栅漏极电压抬高，使第一NMOS管的电压降低，触发第三启动开关管关闭，工作电路进入正常工作模式。该启动电路的电路结构简洁高效，应用成本较低。

摘要： 本公开实施例公开了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、匹配单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压；匹配单元分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电压生成第一初始电流，基于第一初始电流生成第二初始电流；匹配单元包括至少两个电阻；生成单元，用于基于第二初始电流生成基准电压；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够减小电流镜的匹配误差，提高性能。

摘要： 本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：生成单元、第一分压单元和第二分压单元。其中，生成单元，用于生成正温度系数电压和负温度系数电压；以及，基于正温度系数电压和负温度系数电压，得到正温度系数电流和负温度系数电流。第一分压单元，分别连接生成单元和第二分压单元，用于基于正温度系数电流和负温度系数电流，生成初始电流。第二分压单元，用于基于初始电流确定基准电压；第一分压单元和第二分压单元影响基准电压的分压比例；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。

摘要： 本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、电流镜单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压，基于正温度系数电压得到正温度系数电流；其中，正温度系数单元包括分流子单元；分流子单元的电流的值关联于正温度系数电流的值。电流镜单元，分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电流生成镜像电流。生成单元，用于生成基准电压，基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。