双极型晶体管

摘要： 为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压V的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证。在-40~85°C温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10^(-4)/°C,电源电压抑制比可达到-88 dB。

摘要： 该文设计了一种基于0.35μm CMOS工艺的采用双极型晶体管作为感温元件的数字温度传感器.该温度传感器主要由正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路、一阶连续时间Σ-Δ调制器、计数器和I2C总线接口等模块组成.为提高温度传感器的测量精度,该文深入分析了在不采用校准技术的情况下工艺漂移对温度传感器精度的影响,并在此基础上提出了简单的校准电路设计.根据电路仿真结果,在加入校准电路之后,温度传感器在-40～120°C温度范围内的精度可以达到±0.5°C.

摘要： 共射放大电路是当前电子技术当中使用最常见的一种,也是一种最为常见的放大电路.本文按照相关的设计需求,对共射电路进行全面性的设计工作.同时,借助Multisim仿真系统找出其中存在着的不足,深入研究增加射极和改变置留偏置电压的整体方案.因此,对方案的改良有着深入的分析.

摘要： 本文对比了IEC 60747-72019与GB/T 4587-94在术语定义、适用范围和测试方法的区别以及由此带来的影响.综述了国内关于开启损耗和关断损耗、热阻测试、结温测量研究动向,指出开启损耗和关断损耗测试过程中需要注意的事项,阐述了使用标准电学方法进行热阻测试的局限性,通过理论推导和试验验证说明了IEC 60747-7中不同结温下IE-VBE特性曲线多样性.为新国标的修订提供了技术指引和支撑.

摘要： 本文以60Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段.

摘要： 有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结的深浅和工艺质量决定了双极性晶体管的很多重要参数,如晶体管的放大能力,相关耐压的高低,漏电大小,是NPN晶体管应用的重要表征参数.在NPN工艺过程中,同时也可以形成emitter发射区(SN)在base基区(SP)的SP挤压电阻,该电阻值比较大,基本上在高阻KΩ 级别.该电阻可以表征在工艺过程中NPN管base基区的控制和emitter发射区在base基区中推进的最终结深,是NPN管常规监控的一个重要参数,在启动电路中和大电阻设计需要中有着普遍的应用.有时SP pinched电阻的敏感度对于emitter发射区在base基区的结深和浓度表征高于NPN晶体管的相关电压和漏电测试,因此也常常设计来监控NPN制造工艺.研究NPN管制造工艺中发射极的SOD技术,为解决产品问题提供指导.

摘要： 本征晶体管的EM1模型是集成电路设计中进行计算机电路分析与设计的简易可行且有效的方法之一,而晶体管h参数是电子器件中分析低频小信号电路常用的手段.通过对EM1模型等效电路图及端电流端电压方程的计算分析,将其应用于对双极型晶体管三种组态h参数的计算中,并分析参数物理意义,得到其低频小信号等效电路.

摘要： Bipolar product has much virtue and applies in many fi elds. Failure induced by process defect occurs sometimes. Bipolar product suffered from low yield failure. After FA analysis, alloy dot in MCD process has relationship to failure and the mechanism was studied. In order to improve yield, process will be optimized to reduce alloy dots.%双极产品具有较多的优点,在很多领域都有广泛的应用.为提高电流的性能,需要在集电极下制作隐埋层,由隐埋层工艺异常导致的双极产品失效问题时有发生.详细介绍了双极产品发生低良失效问题,经过失效分析发现失效由锑源MCD涂布过程中产生的合金点导致,从失效机理进行了解释,经过工艺优化,减少了合金点的发生,为提高产品的良率提供了保证.

摘要： 共射放大电路是一种基本的放大电路,在电子技术中有着广泛的应用.文中按照设计要求进行了共射放大电路的设计,给出了放大电路详细的理论分析过程,并用Multisim进行仿真分析,通过仿真分析提出了设计方案中的不足.探究给出了采用增加射极跟随器和改变直流偏置电压的改进方案,对改进方案进行了进一步的仿真分析.

摘要： 结合双极型晶体管工艺仿真和强电磁脉冲效应机理,建立双极型晶体管电磁脉冲效应仿真分析的二维电-热模型.通过分析器件内部电场强度,电流密度和温度分布的变化,研究了由基极和集电极注入电磁脉冲时的损伤效应,结果表明,基极注入主要损伤器件的B-E结,集电极注入首先损伤器件的B-C结,基极注入更易毁伤器件,与实验对比符合较好.

摘要： 本文分析了影响双极型晶体管电流增益温度特性的各种因素,讨论了大注入效应对温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型.选取3DD167进行不同温度不同工作条件的测试分析,实验结果表明,在特定的工作条件下,该器件在不同的温度,其电流增益都有一零温度点.实验结果和模型吻合好.

摘要： 基极注入晶体管的微波脉冲有可能导致晶体管烧毁.频率是微波脉冲的重要参数之一.本文仿真研究了该参数对硅双极型晶体管管芯烧毁过程的影响,得到以下结论,对目前常见的微波脉冲骚扰源和小功率硅双极型晶体管管芯而言,存在一个拐点频率,在拐点频率以上,频率对烧毁所需功率无明显影响;而在拐点频率以下,烧毁所需脉冲功率随频率降低而升高.本文进一步分析了这一现象物理机制.

摘要： 提出一种离子注入结终端扩展(JTE)和辅助环(Assistant Rings,AR)相结合的终端结构,其在传统的JTE结构周围加入等剂量的类保护环结构,仿真结果显示该结构能更好的调制器件边缘和耐压层之间的电场分布.通过优化注入剂量以及辅助环的间距与宽度,在集电区掺杂浓度为l×1015cm-3、厚度为10μmn的碳化硅双极型晶体管上实现了BVCEO为1573V的击穿电压,达到一维理想击穿电压值的83％,并提出了器件在不同电压应用范围下该结构的设计规则.

摘要： 本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证,该放大器在3.1GHz - 6GHz带宽内,S21高于11dB,并且变化不超过3dB,S11和S22都在-15dB以下,S12低于-20dB,放大器的噪声系数在1.3 - 1.7dB之间,群延时在整个频带内变化在15ps左右,并且在整个频带内无条件稳定,放大器良好的性能证明了所提出的设计思想的正确性。

摘要： SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要.文中针对传统双电源阻容驱动电路的不足,设计一种双电源阻性时序驱动电路.该驱动电路由三个支路组成,开通支路、稳态支路和关断支路,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制三个驱动支路.该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路比较起来,其驱动损耗减小很多.为了验证新的驱动电路优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样版,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能.

摘要： SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要.文中针对传统双电源阻容驱动电路的不足,设计一种双电源阻性时序驱动电路.该驱动电路由三个支路组成,开通支路、稳态支路和关断支路,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制三个驱动支路.该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路比较起来,其驱动损耗减小很多.为了验证新的驱动电路优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样版,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能.

摘要： SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要.文中针对传统双电源阻容驱动电路的不足,设计一种双电源阻性时序驱动电路.该驱动电路由三个支路组成,开通支路、稳态支路和关断支路,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制三个驱动支路.该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路比较起来,其驱动损耗减小很多.为了验证新的驱动电路优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样版,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能.

摘要： SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要.文中针对传统双电源阻容驱动电路的不足,设计一种双电源阻性时序驱动电路.该驱动电路由三个支路组成,开通支路、稳态支路和关断支路,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制三个驱动支路.该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路比较起来,其驱动损耗减小很多.为了验证新的驱动电路优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样版,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能.

摘要： IGBT在桥式变换器的应用中，最常见的问题是同一桥臂上的两只管子瞬态共同导通。本文分析了产生瞬态共同导通的主要原因，并提出几种方法可以很好地解决瞬态共同导通问题，并给出了不同方法的结果。

摘要： 本发明提供了一种碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)的制造方法和SiC BJT(200)。所述SiC BJT包括发射极区(236)、基极区(234)和集电极区(232)。所述集电极区被置于具有约4度以下离轴方向的衬底(210)上。进一步，缺陷终止层(DTL，220)被置于所述衬底与所述集电极区之间。DTL的厚度和掺杂度被配置为，终止DTL中的基面位错并减少缺陷从DTL到集电极区的生长。本发明的优点在于，提高了SiC BJT的稳定性。进一步，还提供了SiC BJT的退化性能的评估方法。

摘要： 本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。

摘要： 本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。

摘要： 本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括AlxGa1‑xAs1‑yPy，集电极层的材料包括GaAs。本申请中，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，AlxGa1‑xAs1‑yPy中的P的引入使AlxGa1‑xAs1‑yPy与GaAs的晶格常数更加接近，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，可以降低缓冲层和衬底之间的晶格失配，提高晶体生长的质量；同时，P的引入也可以增加AlxGa1‑xAs1‑yPy材料的禁带宽度，使AlxGa1‑xAs1‑yPy中需要的Al含量降低，进而降低Al引入的缺陷中心密度，提升异质结双极型晶体管的器件性能。

摘要： 本发明提供一种双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管。该制备方法包括：在获取的衬底的上表面制备第一氧化层和保护层，并通过刻蚀保护层后得到的预设窗口在衬底中的对应位置制备分压环，在对制备分压环后的衬底进行高温退火的同时在预设窗口的位置制备第二氧化层，并去除保护层；确定基区、发射区和浓硼区，并对基区、发射区和浓硼区进行相应的离子注入；之后制备第一层金属引线和第二层金属引线，并在两层金属引线之间制备互连引线层，最后在衬底的下表面制备第一金属层并烧结，得到双极型晶体管。本发明有效避免了在进行基区掺杂时光刻工艺无法准确限制基区按照设计尺寸进行分布的问题，还有效降低了基区电阻，提升了器件性能。

摘要： 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，在两个基区分别制作第一导电类型的源区，在半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，在第一金属层和第二金属层的表面制作保护层，其中，保护层包括对应于第一金属层的第一镂空区，第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，在发射极的表面制作支撑层，支撑层与保护层的厚度相等，并且支撑层与保护层之间设有间隙；对半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良率。

摘要： 本发明的目的在于提供一种高性能且量产性高的绝缘栅双极型晶体管器件等。在绝缘栅双极型晶体管器件中，作为多个沟槽构造，至少具有沟槽栅极、第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽是相邻的沟槽构造，沟槽栅极连接于栅极，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽连接于发射极，而没有连接于栅极，第一导电型源极层也形成于第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽之间。

摘要： 本发明提供了一种双极型晶体管的制备方法和双极型晶体管，其中，制备方法包括：在形成场氧化区的衬底上形成多晶硅掩膜结构，多晶硅掩膜结构即为双极型晶体管的基区掩膜结构，场氧化层包括第一场氧化区、第二场氧化区和第三场氧化区；在形成有多晶硅掩膜结构的衬底上，在第一场氧化区和第三场氧化区之间的区域内形成第一离子区域；在第一场氧化区和第二场氧化区之间的区域内形成第二离子区域；在形成第二离子区域的衬底上依次形成隔离层和双极型晶体管的金属电极，以完成双极型晶体管的制备过程。通过本发明的技术方案，有效地提高了工艺的稳定性，避免了工艺波动造成的源区尺寸偏差，进而保证了双极型晶体管的放大系数的准确性和器件可靠性。

摘要： 本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。

摘要： 本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。