ここまで来たGaN(窒化ガリウム)GaNパワーデバイスの魅力：GaNパワーデバイスの潜在能力とデバイスの実力,そしてメリットを引き出すためのノウハウ

寺前裕司

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ここまで来たGaN(窒化ガリウム)GaNパワーデバイスの魅力：GaNパワーデバイスの潜在能力とデバイスの実力,そしてメリットを引き出すためのノウハウ

机译：迄今为止，GaN（氮化镓）GaN功率器件的吸引力在于：GaN功率器件的潜力，器件的功能以及实现收益的专有技术

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半導体スイッチを使った電源が考案された時から，低損失·高効率化と小型化は永遠の課題です．スイッチング電源の損失のほとんどはスイッチに用いるデバイスで生じます．デバイスの損失はさらに，オン/オフが切り換わる際の遷移期間で生じるものと，オン時のオン抵抗によるものがあります．したがってスイッチには遷移期間を短くする高速性と低オン抵抗化が求められてきました＜図1＞．

机译：自从使用半导体开关电源的想法以来，低损耗，高效率和小型化一直是永恒的问题。开关电源的大部分损耗发生在用于开关的设备中。器件损耗也可能是由于打开/关闭时的过渡期，或者是由于打开时的导通电阻引起的。因此，要求开关具有较高的速度和较低的导通电阻以缩短过渡时间（图1）。

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来源
《トランジスタ技術》 |2015年第608期|共2页
作者
寺前裕司;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
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