GaN/GaN HEMT的微波功率器件研究

机译：迄今为止，GaN（氮化镓）GaN功率器件的吸引力在于：GaN功率器件的潜力，器件的功能以及实现收益的专有技术

机译：用于微波功率和高温应用的AlGaN / GaN / BGaN / GaN / Si HEMT的DC和RF特性优化

机译：通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱

机译：通过器件仿真研究GaN陷阱深度分布对GaN衬底上GaN HEMT中瞬态响应的影响

机译：GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征

机译：Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上：电气和噪声特性

机译：通过低频S参数测量和基于TCAD的物理器件仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱

机译：GaN功率电子器件：从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。

机译：GaN晶体，GaN晶体衬底，GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法，以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法

机译：GaN基半导体发光器件，发光器件组件，发光器件，用于制造GaN基半导体发光器件的方法，用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置

机译：N型GaN晶体，GaN晶片和制造GaN晶体，GaN晶片和氮化物半导体器件的方法