声明
第一章 绪 论
1.1 研究背景
1.2 GaN材料特性
1.3 GaN电力电子研究现状
1.4 本论文的主要工作
第二章 AlGaN/GaN HEMT概述
2.1 AlGaN/GaN HEMT工作机理
2.2 AlGaN/GaN HEMT技术基础与典型结构
2.3 本章小结
第三章 AlGaN/GaN HEMT关键制造工艺开发与优化
3.1表面清洗
3.2 感应耦合等离子体刻蚀
3.3 欧姆接触
3.4 本章小结
第四章 具有槽终端和氟离子注入终端的GaN HEMT研制与测试
4.1 研究意义
4.2 具有槽终端和复合栅介质的增强型AlGaN/GaN HEMT
4.3 具有氟离子注入终端的AlGaN/GaN HEMT
4.4 本章小结
第五章 空穴气增强型AlGaN/GaN HEMT研究
5.1 研究背景
5.2 仿真模型
5.3 单导通沟道空穴气增强型AlGaN/GaN HEMT
5.4 多导通沟道空穴气增强型AlGaN/GaN HEMT
5.5 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
