高可靠性的读写分离14T存储单元设计

张景波; 朱亚男; 彭春雨; 赵强

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高可靠性的读写分离14T存储单元设计

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为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元。基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力。与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1%、20.7%和36.1%。写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限。

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来源
《电子与封装》 |2022年第1期|45-51|共7页
作者
张景波; 朱亚男; 彭春雨; 赵强;
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作者单位

工业和信息化部产业发展促进中心;

北京100084;

安徽大学集成电路学院;

合肥230601;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
静态随机存储器; 高可靠性; 读写分离; 单粒子效应;

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