CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究

龙恩; 陈祝

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CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出.闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效.首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件.然后通过对这些条件进行分析,从版图、工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应.最后介绍了几种抑制闩锁效应关键技术方案.

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来源
《电子工艺技术》 |2008年第3期|142-145|共4页
作者
龙恩; 陈祝;
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作者单位

成都信息工程学院,四川,成都,610225;

成都信息工程学院,四川,成都,610225;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
闩锁效应; CMOS电路; 版图; 工艺;

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