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LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

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摘要

LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计.实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性.

著录项

来源
《电子工艺技术》 |2006年第6期|333-335|共3页
作者
冯永生; 刘元安;
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作者单位

北京邮电大学,北京,100088;

北京邮电大学,北京,100088;

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正文语种 chi
中图分类基本电子电路;
关键词
LDMOS; 温度特性; 功率放大器; 偏置电路;

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