SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺

李学文; 彭志坚

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以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求.

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来源
《电子工业专用设备》 |2008年第12期|30-33|共4页
作者
李学文; 彭志坚;
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作者单位

国防科学技术大学,湖南长沙,410000;

中围电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙,410111;

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正文语种 chi
中图分类氧化层生长;
关键词
氮化硅薄膜; LPCVD; 工艺温度; 工艺压力; 气体流量; 均匀性;

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