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193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

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2006年11月英特尔决定采用193 nm ArF浸没式光刻技术研发32 nm工艺.2007年2月IBM决定在22 nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193 nm ArF浸没式光刻技术.对于32 nm/22nm工艺,193 nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术.

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来源
《电子工业专用设备》 |2007年第4期|17-18|共2页
作者
翁寿松;
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作者单位

无锡市罗特电子有限公司,江苏,无锡,214001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
32 nm工艺; 22 nm工艺; 193 nm ArF浸没式光刻技术; EUV光刻技术;

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