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程开富;
重庆光电技术研究所;
热壁LPCVD; 多晶硅膜; 质量分析; 制造工艺; IC;
机译:氮化硅/ SiO 2封端的(100)硅上的LPCVD多晶硅膜中的热诱导结构电导率
机译:LPCVD多晶硅膜中热诱导的正常晶粒生长机理
机译:LPCVD沉积温度对超敏多晶硅膜表面性质的影响
机译:控制表面微加工MEMS的LPCVD多晶硅膜中残余膜应力的方法
机译:通过水平热壁沉积获得具有单晶红荧烯膜的有机薄膜晶体管。
机译:Gaffkya homari中的膜-壁相互关系:巯基敏感性和新生肽聚糖掺入壁的热不稳定性。
机译:拉伸LpCVD多晶硅薄膜中的六方相。
机译:LPCVD装置和使用LPCVD在晶片上制造多晶硅的方法
机译:使用LPCVD氮化硅盖作为阻挡层,以减少因高价值多晶硅电阻器的氢侵入而引起的电阻变化
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