气态氟化氢释放系统

庞克俭

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气态氟化氢释放系统

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为解决传统SiO2蚀刻工艺中存在的粘连塌陷和蚀刻速率无法精确控制等问题,研究了一种以低压下的气态氟化氢作为腐蚀介质的蚀刻方法,进而介绍了采用这一方法工作的氟化氢释放系统,主要用于在MEMS工艺中对SiO2牺牲层进行腐蚀,从而释放MEMS微结构.该系统的基本工作机理是HF与SiO2反应生成SiF4,同时让乙醇参与反应,从而实现了对SiO2蚀刻工艺的优化.实践表明,该系统能有效去除水分,防止粘连和塌陷,更好地控制蚀刻速率,具有广阔的应用前景.

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来源
《电子工业专用设备》 |2021年第5期|7-10|共4页
作者
庞克俭;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄 050051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
微机械; 气态氟化氢; 乙醇蒸汽; 蚀刻速率; 二氧化硅释放;

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