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氮化铝单晶的物理气相输运生长设备研究进展

         

摘要

氮化铝(A1N)具备宽禁带、直接带隙、高击穿场强、低导通电阻、高开关速度等优异的材料特性,有望应用于深紫外光电、大功率与高频等器件领域.目前公认最适合A1N单晶量产的方法是物理气相输运(PVT)法,对其生长机制与相关工艺技术的研究已受到广泛关注,但对于设备设计与晶体生长的关系的认识尚不够深刻.介绍了 A1N材料的基本属性、应用前景、单晶生长原理,并重点总结了关于A1N单晶PVT生长设备设计的研究进展.

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