一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析

罗文进; 胡倍源; 杨玲明; 林殷茵

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一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析

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应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明:set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,reset成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低;高阻态和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势——在-40～25℃间阻值均随偏置温度升高而升高,在25～125℃间均随偏置温度升高而呈下降趋势.针对以上现象提出了电学与热学结合的基于filament的微观模型,由铜空位构成的filament局部的反复形成与断裂对应于阻变存储器从高阻态到低阻态的重复转换,分析了电学和热学各自在CuxSiyO系列的阻变存储器开关和导电微观机制中所起作用.

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来源
《复旦学报：自然科学版》 |2012年第1期|71-76|共6页
作者
罗文进; 胡倍源; 杨玲明; 林殷茵;
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作者单位

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类专用集成电路;
关键词
温度偏置; CuxSiyO; 阻变存储器; 开关; 导电; 热学; 微观模型;

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