三星等计划利用石墨滞实现“在大面积柔性基板上制造三维存储器”

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三星等计划利用石墨滞实现“在大面积柔性基板上制造三维存储器”

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美国加州大学和韩国三星电子开发出了在大面积柔性基板上集成三维层叠型存储器的基本技术。通过在把电荷积聚在绝缘膜上的捕获型存储器的沟道上采用石墨烯，在柔性基板上形成了能够三维层叠的高性能非易失性存储器。此次，采用石墨烯薄膜的转印工艺，在SiO2／Si基板上制作了具备石墨烯沟道的存储单元，发现能够确保足够大的工作窗口。

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来源
《功能材料信息》 |2011年第4期|P.53-54|共2页
作者
无;
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作者单位

不详;

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正文语种 CHI
中图分类存贮器;
关键词
非易失性存储器; 柔性基板; 石墨; 三维; 面积; SiO2／Si; 制造; 利用;

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