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Sn5+离子双电子复合速率系数

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利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code (FAC)程序包,详细研究了Sn5离子的双电子复合(DR)过程.通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道.计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100.

著录项

来源
《甘肃科技》 |2013年第21期|52-53|共2页
作者
柳小林;
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作者单位

西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070;

宁夏师范学院物理与信息技术学院,宁夏固原756000;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
双电子复合; 速率系数;

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