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双电子复合

双电子复合的相关文献在1990年到2020年内共计69篇,主要集中在物理学、无线电电子学、电信技术 等领域,其中期刊论文62篇、会议论文7篇、专利文献1643270篇;相关期刊14种,包括中国科学院研究生院学报、西北师范大学学报(自然科学版)、四川大学学报(自然科学版)等; 相关会议6种,包括第十四届全国原子与分子物理学术会议、第十三届全国原子与分子物理学术会议、第八届全国激光科学技术青年学术交流会等;双电子复合的相关文献由99位作者贡献,包括符彦飙、董晨钟、朱正和等。

双电子复合—发文量

期刊论文>

论文:62 占比:0.00%

会议论文>

论文:7 占比:0.00%

专利文献>

论文:1643270 占比:100.00%

总计:1643339篇

双电子复合—发文趋势图

双电子复合

-研究学者

  • 符彦飙
  • 董晨钟
  • 朱正和
  • 张登红
  • 蒋刚
  • 王炎森
  • 陈重阳
  • 焦荣珍
  • 张茹
  • 杨向东
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 符彦飙; 杨志龙
    • 摘要: 基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铷等电子序列离子双激发态(4s24p64d1)-1nln'l'(n=4,5,6,n'≤23,l'≤12)7个离子(Sb14+,Te15+,Xe17+,Tb28+,Hf35+,W37+,Au42+)的双电子复合(Dielectronic reombination,DR)速率系数,并用能级到能级的方法外推到n'=1000.分别研究了激发通道和辐射通道、共振稳态跃迁(RS)和非共振稳态跃迁以及辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激(DAC)对DR速率系数的贡献,分析了各种效应随着原子序数(Z)的变化规律.研究表明,RS+NRS随着Z的增大对速率系数的影响越来越大,而DAC的贡献随着Z的增大越来越小,对于Au42+离子(Z=79),其贡献在50000 eV处最大,达到14.36%,仍不可忽略.最后,总结了这7个离子总的DR速率系数的规律.为了便于使用,对7个离子总的DR速率系数进行了参数拟合,得到了适用于类铷等电子序列的适用于中高温区域的一个经验拟合公式.
    • 丁军顺; 符彦飙
    • 摘要: 基于全相对论组态相互作用的FAC程序包研究了类锶W36+离子的DR过程.这是对复杂结构基组态为[Zn]4p64d2离子首次采用详细的从能级到能级的从头计算.考察了不同通道对DR速率系数的影响,详细计算了[Zn]4p54d3nln'l'和[Zn]4p64d1nln'l'(n=4,5,6,n'<24,l'<12)所有内壳层激发的所有能级的DR速率系数.计算中特别关注了辐射跃迁到可自电离态及可能的级联退激(DAC)的贡献,并考虑了非共振稳态和共振稳态跃迁(NRS+RS)对DR速率系数的影响.结果发现随着温度的增大,DAC效应的贡献越来越重要,在650eV处DAC效应的贡献为11.67%,并且考虑DAC效应的DR速率系数的计算值与考虑RS+NRS效应的计算值相差4.53%.在50000eV处,DAC效应的贡献达到最大为19.34%,与RS+NRS效应的计算值相差5.03%.
    • 符彦飙; 马德全; 杨志龙
    • 摘要: 基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铑等电子序列10个离子(Sn5+,Sb6+,Te7+,Xe9+,Gd19+,Tb20+,W29+,Re30+,Au34+,Tl36+)的双电子复合(Dielectronic recombination,DR)速率系数,研究了激发通道和辐射通道,共振稳态跃迁、非共振稳态跃迁和辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激对双电子复合的贡献,分析了各种效应随原子序数的变化规律.结果表明,级联退激的贡献随着原子序数的增大越来越小,至Tl36+离子(Z=81),其贡献在4000 eV处有19.98%,仍不可忽略.仅考虑共振稳态跃迁和非共振稳态跃迁贡献计算值与又考虑了级联退激贡献计算值的偏差在13.40%以内.为了方便使用,对得到的总DR速率系数进行了参数拟合.并且总结了总的DR速率系数的规律,得到了适用于类铑等电子序列中高温处的一个经验拟合公式.
    • 符彦飙; 魏二龙; 田瑞; 马德全
    • 摘要: 基于全相对论组态相互作用理论,详细计算了类铑钆离子的双电子复合(DR)速率系数;研究分析了内壳层电子激发、辐射通道和级联退激对DR速率系数的影响,以及DR速率系数随高n电子轨道角动量的变化.结果表明,内壳层4p电子激发以及级联退激对DR速率系数的贡献不可忽略.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV时,双电子复合速率系数都大于辐射复合和三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.同时,对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合.
    • 张登红; 景建强; 颉录有; 蒋军; 董晨钟
    • 摘要: 利用基于多组态Driac‐Fock(MCDF)理论方法发展的程序包GRASP及FAC程序包,详细计算了共振双激发态1s2l2 l′的共振能量、自电离速率、辐射速率及双电子复合截面。重点讨论了Breit相互作用对类氦钨离子双电子复合截面的影响。%By using the program package of GRASP and FAC w hich are based on the multiconfiguration Dirac‐Fack method , the resonant energy , radiative decay rates , autoionization rates of the doubly excited states 1s2ls l′and the corresponding dielectronic recombination (DR) cross sections have been calculated for He‐like tungsten ions . It focuses on the influence of the Breit interaction on the DR cross sections .
    • 颉录有; 崔海月; 张登红; 蒋军; 董晨钟
    • 摘要: In this work , the KLL dielectronic recombination(DR) processes and linear polarization degree of emitted X‐rays are investigated for Ti21+ (1s ) and Ti20+ (1s2 ) ions in the framework of multi‐configuration Dirac‐Fock(MCDF) method and the density matrix theory . The resonance energis , radiative and Aauger transition probabilities , the resonance strengths , angular distributions and linear polarization degrees for all of KLL dielectronic satellite lines are presented . In the calculations , the electron correlation effects , QED effects and Breit interactions have been well considered . Comparison is made between the present results and the EBIT experimental measurements ,a good agreement is obtained .%利用多组态Dirac‐Fock(MCDF)方法和密度矩阵理论,系统计算了类氢Ti21+(1s)和类氦Ti20+(1s2)离子KLL双电子复合过程中所有共振双激发态的能级、辐射和Auger跃迁的几率,以及双电子伴线的强度、角分布和极化度。研究了Breit相互作用对Auger几率、双电子伴线强度和辐射X射线极化度的影响。计算结果与已有文献和 EBIT实验测量结果符合较好。
    • 丁军顺; 符彦飙; 王旭东; 董晨钟
    • 摘要: 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s2 4p6 4d10)-1nln′l′(n=4~6,n′=4~15)的双电子复合(DR)过程.比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献,分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l′的变化.考虑和已有的计算完全相同的初态,中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下,得到了和已有的计算符合很好的结果.在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数.其中,考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响.对DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1%.
    • 符彦飙; 王旭东; 苏茂根; 董晨钟
    • 摘要: Dielectronic recombination (DR) rate coefficients of complex structure ions are very important for spectral simulation in some application researches, such as nuclear fusion and extreme ultraviolet lithography. Theoretical calculations are made for dielectronic recombination rate coefficients of Au34+ ions by using a flexible relativistic atomic code. Influences of excitation and radiation channels, configuration interactions, and decays to autoionizing levels possibly followed by radiative cascades (DAC) on DR rate coefficient are analyzed. The contribution of DAC is evident. The total DR rate coefficient is greater than either the radiation recombination coefficient or three-body recombination coefficient for electron temperature greater than 1 eV. In order to facilitate simple applications, the total DR rate coefficients for the ground state and the first excited state are fitted to an empirical formula. These results should be useful for further analyzing the DR process of complex structures ions.%复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au34+离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.
    • 符彦飙; 王旭东; 苏茂根; 董晨钟
    • 摘要: 复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au^(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.
    • 杨建会; 范强; 张建平
    • 摘要: The atomic processes emitting X-photon include radiative recombination ( RR) , resonant excitation (RE), resonant recombination (RER) and direct excitation (DE) within the energy range of dielectronic re-combination ( DR). The cross sections of those atomic processes were calculated by using relativistic configura-tion interaction ( RCI) method. We compared cross sections of those atomic processes with that of DR process, and analyzed the influence of those processes on DR process. The results show that the RR cross section decrea-ses with the increase of electron beam energy quickly;within the energy distribution of DR process, the RR cross section is almost a constant, which can be treated as background;the effect of RE and RER can be negligible;with the increase of electron beam energy, the cross section of electron impact DE becomes large, the DR cross section can’ t distinguish from high Rydberg states;the cross section of electron impact become larger and larger with the increase of electron beam energy. The dielectronic recombination spectrum of neon-like xenon was cal-culated by using relativistic configuration interaction ( RCI ) method; the corresponding present results are in good agreement with reliable values within the inaccuracy.%在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程。本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响。研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程。使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合。
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