高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性

尹晓丽; 刘肃; 王秀华; 陈溶波

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高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性

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采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板(AAO)内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、隧道电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED)对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm .X射线光电子能谱(XPS)进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制.用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光.

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来源
《甘肃科技》 |2009年第17期|50-5219|共4页
作者
尹晓丽; 刘肃; 王秀华; 陈溶波;
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作者单位

兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;晶体的光学性质;
关键词
微电子学与固体电子学; 单晶ZnO纳米线; 电化学沉积; 光致发光;

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