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对高介电常数栅介质Nd_2O_3薄膜生长速率影响的分析

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摘要

本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参数。

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来源
《科学技术创新》 |2016年第10期|30-30|共1页
作者
李昆; 王琦; 高晓鹏;
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作者单位

西安卫光科技有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
前驱体; 淀积温度; 生长速率;

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