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关于降低功率晶体管正向压降V_F和提高芯片粘附强度的研究

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摘要

主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅—金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。

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来源
《科学技术创新》 |2008年第3期|28-28|共2页
作者
董秋杰; 顾志刚;
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作者单位

哈尔滨晶体管厂;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.4;
关键词
功率晶体管; 芯片; 粘附强度;

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