首页> 中文期刊> 《科学技术创新》 >新研究厘清忆阻器工作时的内部变化

新研究厘清忆阻器工作时的内部变化

         

摘要

惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破,他们弄清楚了忆阻器在电操作期问,其内部的化学性质和结构变化,借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻,通过控制电流的变化可改变其阻值,阻值的高低可以用来代表数字计算机中的“1”和“0”,以实现数据存储。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号