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忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器

摘要

本申请实施例提供了一种忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器(RRAM)。该方法,包括:a.在基底上沉积金属硼化物薄膜;b.对金属硼化物薄膜进行退火处理;c.在金属硼化物薄膜表面形成一光刻胶层,对光刻胶层进行光刻以形成与预定电极图案对应的光刻图案;d.以光刻图案为掩膜,采用离子束对金属硼化物薄膜进行刻蚀,以将金属硼化物薄膜形成所述预定的电极图案。本发明利用金属硼化物制备的忆阻器电极完全兼容CMOS制造工艺,并且可以改善包括该忆阻器的RRAM的产品性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111279499A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市汇顶科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201880013254.3

  • 发明设计人 姚国峰;沈健;

    申请日2018-09-19

  • 分类号

  • 代理机构北京龙双利达知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐勇勇

  • 地址 518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层

  • 入库时间 2023-12-17 09:55:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20180919

    实质审查的生效

  • 2020-06-12

    公开

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