三维集成电路集成硅通孔的应力应变研究

苏鹏; 徐鹏程; 秦进功; 王东; 田野

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三维集成电路集成硅通孔的应力应变研究

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采用有限元模拟法研究三维集成电路集成中硅通孔结构在热循环载荷条件下的失效行为,对硅通孔结构的应力应变进行分析。结果表明,硅通孔结构在热循环载荷下顶部Cu焊盘角落附近的SiO;层处具有最大的应力与应变,这表明硅通孔结构中最易失效位置在顶部Cu焊盘角落附近Cu和SiO;的界面处。试验结果与模拟分析一致,进一步验证了模拟结果对硅通孔结构最易失效位置分析的可靠性。

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来源
《河南科技：上半月》 |2022年第4期|51-54|共4页
作者
苏鹏; 徐鹏程; 秦进功; 王东; 田野;
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作者单位

河南工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类钎焊;
关键词
硅通孔; 三维封装; 热循环; 可靠性; 有限元分析法;

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