BRICASTI M28单声道晶体管后级

机译：从脸上睡眠后唤醒后唤醒后的单声道室性心动过速

机译：基于单层WSE2二维晶体半导体的通道，纳米级场效应晶体管中量子电容对纳米级场效应晶体管的电荷载流子密度估计的影响

机译：使用两级互补联合稀疏表示进行有监督的单声道语音增强

机译：击穿后90NM和130NM晶体管的宏模型及其在ESD-CDM事件后预测芯片级功能故障中的应用

机译：在深度扩展的CMOS技术中，从寄存器传输级到晶体管级的功耗优化。

机译：作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能

机译：单声道和双层Ws2发光晶体管

机译：模拟焊后热处理后a508 3级和sa533b 1级钢显微组织的比较

机译：用于制造电子元件的纳米级晶体管的方法传感器元件，包括在去除纳米线后在基板上施加电介质层，并施加导电材料层以形成晶体管

机译：形成微米级和纳米级图案的方法以及制备微米级和纳米级沟道晶体管的方法，以及使用该方法的微米级和纳米级沟道发光晶体管

机译：具有驱动器级和功率级的晶体管放大器-输入级通过驱动器晶体管连接到输出级晶体管