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卢文娟; 张玉林; 孔祥东; 郝慧娟;
山东大学,控制学院,电子束研究所,济南,250061;
山东科技大学,信息与电气工程学院,山东,青岛,266510;
东营职业学院,山东,东营,257091;
电子束光刻; 曝光剂量; 刻蚀深度; 反差; 吸收能量密度;
机译:GaAs电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机理和刻蚀深度分布
机译:使用薄塑料闪烁体剂量测定系统确定混合辐射场的深度剂量
机译:薄塑料闪烁体剂量系统确定混合辐射场的深度剂量
机译:反应离子刻蚀过程中聚合物光波导侧壁粗糙度与压力和深度的关系
机译:深度反应离子刻蚀的单晶硅器件的热迁移结隔离及其在惯性导航系统中的应用。
机译:地中海八面体沿深度梯度对气候变化的强烈反差
机译:确定亏缺系数与灌溉深度和分布均匀性的关系确定亏缺系数与灌溉深度和分布均匀性的关系
机译:国际原子能机构“1987年国际行为守则”与两项英国剂量测定协议Hpa 1983和Ipsm 1990的比较,以最大剂量深度给予水的吸收剂量
机译:热致发光剂量计,用于确定剂量与织物深度的关系
机译:用于执行电子束曝光系统的剂量控制的方法,包括为电子束曝光系统中的基本图形创建一组图案,并基于创建的图案确定剂量水平
机译:用平面反差航空摄影技术更精确地确定含氮剂量的田间,科学和生产试验的边界的方法
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