SiC MOSFET在Boost电路中的应用

韩芬; 张艳肖; 石浩

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SiC MOSFET在Boost电路中的应用

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第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率,减小重量和体积,降低制造成本.利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOS-FET的动态特性.分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路.实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路效率高.

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来源
《工业仪表与自动化装置》 |2021年第6期|65-69|共5页
作者
韩芬; 张艳肖; 石浩;
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作者单位

西安交通大学城市学院电气与信息工程系陕西西安710018;

西安交通大学城市学院电气与信息工程系陕西西安710018;

西安交通大学城市学院电气与信息工程系陕西西安710018;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
SiC MOSFET; 静态特性; 动态特性;

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